Examinant l'esquema anterior per un díode PN, relaciona els termes de les columnes inferiors:

Valor de l'amplada efectiva de la base w_B (expressada en micres). 

Valor de la temperatura de funcionament (expressada en graus K). 

Determineu el valor de la resistència R_B si volem que la intensitat de col·lector I_C sigui de 0,01 A i el voltatge V_CE sigui de 5,2 V, sabent que la resistència d'emissor és de 118 ohms.

Si tenim un transistor bipolar P⁺NP de Si a temperatura ambient, amb una base que té unes dimensions totals de 1,23 micres i que treballa amb un voltatge fix de V_EB=0,67 V, quin és el potencial màxim a que podem polaritzar la junció base col·lector, per tal d'evitar que la base quedi estrangulada?

Relaciona els modes d'operació del transistor bipolar amb la funció que podria fer aquest dispositiu en un circuit, fent la correspondència adequada entre les dues columnes de la taula inferior.

La columna esquerra de la taula presenta els valors de polarització de les juncions d'un transistor NPN. Selecciona a la columna dreta el mode d'operació corresponent, sabent que aquest transistor té un guany de corrent en emissor comú de 450.

Relaciona les dues columnes adequadament