Si tenim un transistor bipolar P⁺NP de Si a temperatura ambient, amb una base que té unes dimensions totals de 1,23 micres i que treballa amb un voltatge fix de V_EB=0,67 V, quin és el potencial màxim a que podem polaritzar la junció base col·lector, per tal d'evitar que la base quedi estrangulada?