✅ Перевірена відповідь на це питання доступна нижче. Наші рішення, перевірені спільнотою, допомагають краще зрозуміти матеріал.
Quina és la diferència de potencial (expressada en V) entre l'emissor i el col·lector d'un transistor N+PN de Si a temperatura ambient en equilibri, si els dopatges d'emissor, base i col·lector són respectivament NE=98·1017 cm-3 i NB=13·1015 cm-3 i NC=6·1014 cm-3?
DADES Pemitivitat relativa del Si =12 Permitivitat del buit=8.85E-14 F/cm ni=1010 cm-3
Отримайте необмежений доступ до відповідей на екзаменаційні питання - встановіть розширення Crowdly зараз!