Si tenim un transistor bipolar P + NP de Si a temperatura ambient, amb una base ...
✅ Перевірена відповідь на це питання доступна нижче. Наші рішення, перевірені спільнотою, допомагають краще зрозуміти матеріал.
Si tenim un transistor bipolar P+NP de Si a temperatura ambient, amb una base que té unes dimensions totals de 1,23 micres i que treballa amb un voltatge fix de VEB=0,67 V, quin és el potencial màxim a que podem polaritzar la junció base col·lector, per tal d'evitar que la base quedi estrangulada?
DADESDopatge d'emissor 4,6·1016 cm-3Dopatge de la base 16·1014 cm-3Dopatge del col·lector 3,44·1014 cm-3Pemitivitat relativa del Si =12 Permitivitat del buit=8.85E-14 F/cm ni=1010 cm-3
Хочете миттєвий доступ до всіх перевірених відповідей на campusvirtual.ub.edu?
Отримайте необмежений доступ до відповідей на екзаменаційні питання - встановіть розширення Crowdly зараз!