Halbleiterbauelemente - 18-pr-1030-vl
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Bei Anlegen einer Vorwärtsspannung fließen
Für die Raumladungszone eines pn-Übergangs (ohne externe Spannung) gilt:
In einer pn‐Diode ohne externe Spannung (U=0V) gilt für die energetische Lage der Energieniveaus bzw. Bänder in beiden Halbleitertypen, dass
Das eingebaute Potential des pn-Übergangs kommt zustande durch:
Für den Diffusionsstrom an einem Kontakt zwischen einer n‐ und einer p‐dotiertenSchicht (abrupter Übergang) gilt:
Ein gering n-dotierter Halbleiter (n=1016/cm³) werde bei Raumtemperatur betrieben. Welche Aussage ist korrekt (es können mehrere Antworten angekreuzt werden)?
Ein gering n-dotierter Halbleiter (n=1016 /cm³) werde nahe am absoluten Nullpunkt betrieben. Welche Aussage ist korrekt (es können mehrere Antworten angekreuzt werden)?
Die Majoritätsladungsträger in einem p-dotierten Halbleiter sind die
Wenn ein Halbleiter p-Dotiert wird, dann
Ein gering n-dotierter Halbleiter (n=1016 /cm³) werde sehr hoher Temperatur (1000 K) betrieben. Welche Aussage ist korrekt (es können mehrere Antworten angekreuzt werden)?
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