ist die Lichtintensität über den Halbleiter hinweg konstant

Fällt die Lichtintensität linear mit der Eindringtiefe ab

Fällt die Lichtintensität logarithmisch mit der Eindringtiefe ab

Fällt die Lichtintensität exponentiell mit der Eindringtiefe ab

wird kein Licht absorbiert

werden Elektron-Loch-Paare proportional zur eingestrahlten Lichtleistung generiert

fließt ein Strom proportional zur optischen Lichtleistung

entsteht eine Spannung proportional zur optischen Lichtleistung

Emission überwiegt prinzipiell der Absorption

es bei einer gewissen Energie mehr Elektronen im Vergleich zum thermischen Gleichgewicht im Leitungsband und mehr Löcher im Vergleich zum thermischen Gleichgewicht im Valenzband gibt (Populationsinversion)

es bei einer gewissen Energie mehr Löcher im Vergleich zum thermischen Gleichgewicht im Leitungsband und mehr Elektronen im Vergleich zum thermischen Gleichgewicht im Valenzband gibt (Populationsinversion)

man eine Sperrspannung anlegt

Sehr hohe Dotierung des Halbleiters bei einer metallurgisch sauberen Fläche

Durch Verwendung eines Metalls mit einer Arbeitsfunktion, die kleiner als die des Halbleiters ist

Kurzzeitiges Erhitzen der Probe, um Metallatome in den Halbleiter einzudiffundieren (tempern/annealing)

Durch Verwendung eines Metalls mit einer Arbeitsfunktion, die größer als die des Halbleiters ist

Die Austrittsarbeit (work function)  ist die Differenz zwischen Vakuumenergie und

Fermi-Energie

Kleine Dotierungen mit Fremdatomen

reichen, um die Fermi-Energie eines intrinsischen Halbleiters maßgeblich zu

verschieben

Die

Austrittsarbeit (work function) ist die Differenz zwischen Vakuumenergie und

Leitungsbandkante

Die

Fermi-Energie eines Halbleiters ist größer als die Vakuumenergie

meist in Sperrichtung.

wie eine spannungsabhängige Kapazität

wie ein spannungsabhängiger Widerstand

bei einer Spannung die größer als die eingebaute Spannung ist

Kleine Dotierungen mit Fremdatomen reichen, um

die Fermi-Energie maßgeblich zu verschieben

Die Austrittsarbeit (work function)  ist die Differenz zwischen Vakuumenergie und

Fermi-Energie

Die

Fermi-Energie liegt oberhalb der Leitungsbandkante

Die Fermi-Energie eines Metalls ist größer als Vakuumenergie

steigt der Strom linear für eine Spannung, die größer (positiver) ist als das eingebaute Potential

steigt der Strom exponentiell in Sperrrichtung

ist der Strom in Sperrichtung viel kleiner als bei einer idealen Diode

steigt der Strom exponentiell für eine Spannung, die größer (positiver) ist als das eingebaute Potential

veringert sich die Dotierung

verringert sich das eingebaute Potential

fließt ein Strom durch thermische Aktivierung

wird die Raumladungszone größer

Das elektrische Feld außerhalb der Raumladungszone (betragsmäßig) kleiner

Das elektrische Feld in der Raumladungszone (betragsmäßig) kleiner

Das elektrische Feld in der Raumladungszone (betragsmäßig) größer

Das elektrische Feld in der Raumladungszone (betragsmäßig) konstant bleiben