En vista del diagrama de bandes dels dos semiconductors de la figura a), tria quin seria el diagrama de bandes en equilibri.

Un contacte metall semiconductor polaritzat, presenta els diagrames de bandes de l'esquema. Relaciona els diagrames amb la corresponent polarització i digues si es tracta d'un contacte óhmic o rectificador.

Calcula el potencial de barrera Schottky d'una junció metall semiconductor en equilibri i a temperatura ambient, si la funció de treball del metall és Ф_M= 4,88 eV, la del semiconductor Ф_S= 2,6 eV i el semiconductor és tipus N dopat amb una concentració d'impureses donadores N_D= 89,4·10¹⁴ cm^-3. Dona la resposta en eV.

A la primera figura és presenta a la dreta les funcions de treball d'alguns metalls en relació a l'estructura de bandes de diferents semiconductors.

Examina les dues figures següents i aparella correctament les heterojuncions proposades amb el corresponent aliniament de bandes, suposant els semiconductors no dopats.

El gràfic de la figura a presenta el diagrama de bandes d'una junció metall semiconductor en equilibri.

Suposant el mateix camp elèctric i valors de mobilitat que a la regió N, quin corrent de deriva tindríem just en aquesta frontera de la zona de càrrega espacial a w_p (expressat en A/µm²)?