Того що p-n переходи в ньому з’єднані послідовно.

Того що p-n переходи в ньому не залежні.

Того що p-n переходи в ньому з’єднані паралельно.

Припиненням подачі постійного сигналу на керуючий електрод створюючи примусову комутацію.

Подачею короткострокового імпульсу на керуючий електрод створюючи примусову комутацію.

Подачею короткострокового імпульсу на керуючий анод чим спричиняє відкриття р-n переходу.

НП діод, на якому напруга у зоні електричного пробою майже не залежить від струму.

НП діод, на якому напруга у зоні електричного пробою прямопропорційно залежить від струму.

НП діод, на якому напруга у зоні електричного пробою оберненопропорційно залежить від струму.

Діод, у яких використовується не p-n перехід, а перехід між n-p шарами.

Діод, у яких використовується не p-n перехід, а перехід між напівпровідником і металом.

Діод, у яких використовується не p-n перехід, а p-перехід.

режим роботи, у якому транзистор тривалий час знаходиться в режимах відтинання або насичення.

режим роботи, у якому транзистор тривалий час знаходиться в режимах відтинання або активний.

режим роботи, у якому транзистор тривалий час знаходиться в режимах насичення або активний.

Транзистор.

Диністор.

Тиристор.

При електричному пробою значення вольт-амперних характеристик має графік у вигляді горизонтальної прямої, а при тепловому – вертикальна пряма.

При електричному пробою значення напруги у прямому та зворотному напрямку рівне нулю, а при тепловому – руйнується запірний шар внаслідок не ефективного тепловідведення.

При електричному пробою значення напруги у прямому та зворотному напрямку однакова, що спричиняє вибивання додаткових носіїв заряду, а при тепловому – руйнується p-n перехід внаслідок не ефективного тепловідведення.

Оптронний тиристор це той самий фототеристор. І якщо світло пропускати через його структуру це призведе до генерації в НП вільних носіїв заряду.

Оптронний тиристор це поєднання світло діода та фототеристора. Якщо через світло діод  пропускати струм, він генеруватиме світловий потік, який падаючи на структуру тиристора призведе до вимушеного припинення генерації вільних носіїв заряду в НП.

Оптронний тиристор це поєднання світло діода та фототеристора. Якщо через світло діод  пропускати струм, він генеруватиме світловий потік, який падаючи на структуру тиристора призведе до генерації в НП вільних носіїв заряду.

При зростанні температури опір залишається не змінний.

При зростанні температури опір збільшується.

При зростанні температури опір зменшується.

Спільна база (Б), Спільний емітер (А), спільний колектор (В)

Спільна база (В), Спільний емітер (Б), спільний колектор (А)

Спільна база (А), Спільний емітер (Б), спільний колектор (В).