An einem (nicht-idealen) Anreicherungs-typ n-Kanal MOSFET
wird eine DS-Spannung angelegt und der Drainstrom gemessen. Nun wird die
Gatespannung von 0 V auf U U T geschalten. Zunächst
fließt ein nennenswerter DS Strom, der aber allmählich kleiner wird. Was
könnte(n ) die Ursachen sein?

Question

An einem (nicht-idealen) Anreicherungs-typ n-Kanal MOSFET
wird eine DS-Spannung angelegt und der Drainstrom gemessen. Nun wird die
Gatespannung von 0 V auf  U > U T  geschalten. Zunächst
fließt ein nennenswerter DS Strom, der aber allmählich kleiner wird. Was
könnte(n ) die Ursachen sein?

Accepted Answer

Mobile Ionen im Oxid schirmen die Gate-Spannung
ab und bewegen sich dabei

Accepted Answer

Das
Oxid lädt sich auf (ortsfeste Störstellen)

Answer

Die
Flachbandspannung  U fb  des
Halbleiters ändert sich

Answer

Im
Kanal werden durch die Inversionsspannung Minoritätsladungsträger vom Bulk
bereitgestellt. Die Inversionsschicht bildet sich erst durch diese
Ladungsträger

Crowdly

An einem (nicht-idealen) Anreicherungs-typ n-Kanal MOSFET wird eine DS-Spannung ...

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