Sehr hohe Dotierung des Halbleiters bei einer metallurgisch sauberen Fläche

Durch Verwendung eines Metalls mit einer Arbeitsfunktion, die kleiner als die des Halbleiters ist

Kurzzeitiges Erhitzen der Probe, um Metallatome in den Halbleiter einzudiffundieren (tempern/annealing)

Durch Verwendung eines Metalls mit einer Arbeitsfunktion, die größer als die des Halbleiters ist