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Halbleiterbauelemente - 18-pr-1030-vl

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Bei Anlegen einer Vorwärtsspannung fließen

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Für die Raumladungszone eines pn-Übergangs (ohne externe Spannung) gilt:

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In einer pn‐Diode ohne externe Spannung (U=0V) gilt für die energetische

Lage der Energieniveaus bzw. Bänder in beiden Halbleitertypen, dass

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Das eingebaute Potential des pn-Übergangs kommt zustande durch:

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Für den Diffusionsstrom an einem Kontakt zwischen einer n‐ und einer p‐dotierten

Schicht (abrupter Übergang) gilt:

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Ein gering n-dotierter Halbleiter (n=1016/cm³) werde bei Raumtemperatur betrieben. Welche Aussage ist korrekt (es können mehrere Antworten angekreuzt werden)?

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Ein gering n-dotierter Halbleiter (n=1016

/cm³) werde nahe am absoluten Nullpunkt

betrieben. Welche Aussage ist korrekt (es können mehrere Antworten

angekreuzt werden)?

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Die Majoritätsladungsträger

in einem p-dotierten Halbleiter sind die

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Wenn ein Halbleiter p-Dotiert wird, dann

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Ein gering n-dotierter Halbleiter (n=1016

/cm³) werde sehr hoher Temperatur (1000 K) betrieben. Welche Aussage ist korrekt (es können mehrere

Antworten angekreuzt werden)?

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