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Halbleiterbauelemente - 18-pr-1030-vl

Halbleiterbauelemente - 18-pr-1030-vl

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Um einen CMOS auf einem p-Substrat zu realisieren, muss

eine p-Wanne für den NMOS implantiert werden.

eine n-Wanne für den NMOS implantiert werden.

eine n-Wanne für den PMOS implantiert werden.

eine p-Wanne für den PMOS impaltiert werden.

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Bei einem realen MOSFET gilt in aller Regel:

Der Drainstrom fällt im Sättigungsbereich mit zunehmender Drainspannung

ab.

Der Drainstrom steigt im Sättigungsbereich mit

zunehmender Drainspannung an.

Die Sättigungsspannung U_DSat

steigt überquadratisch

mit der Gate‐Spannung an.

Die Sättigungsspannung U_DSat steigt subquadratisch mit der Gate‐Spannung an.

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Welche der folgenden Aussage/n sind richtig?

Die in der Vorlesung hergeleiteten Formelnd für f_T und f_max gelten sowohl für den Kleinsignalfall als auch für den Großssignalfall.

HEMTs eignen sich sehr gut für Hochfrequenzschaltungen, da sie eine sehr hohe Mobilität aufweisen und somit prinzipiell höhere f_T erreichbar sind.

Prinzipiell ist f_T> f_max da nur ein größerer Strom zu höherer Ausgangsleistung führt.

Ab einer gewissen Grenzfrequenz kann der FET nicht mehr verstärken.

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Der

Kleinsignal‐AC DS Widerstand eines idealen MOSFET in Sättigung (U

Größer als im linearen Bereich

Kleiner als im linearen Bereich

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Für einen

realen n‐Kanal FET gilt im Gegensatz zum idealen FET oberhalb einer

gewissen Spannung:

Die Transkonduktanz fällt im linearen Bereich

mit steigender Gate‐Spannung ab

Die Transkonduktanz steigt im linearen Bereich mit der Gate‐Spannung an

Die Transkonduktanz ist im linearen Bereich konstant und größer als null.

Die Transkonduktanz ist im linearen Bereich null

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Nachfolgend sind vier verschiedene Designs von Si-MOSFETs

(Anreicherungstyp) abgebildet. Welche(r) der FETs würde nicht richtig funktionieren?

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Dieses Bild zeigt einen

P-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp

N-Kanal-MOSFET, Verarmungstyp

P-Kanal-MOSFET,

Verarmungstyp

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Nachfolgend sind vier verschiedene Designs von Si-MOSFETs

(Anreicherungstyp) abgebildet. Welche(r) der FETs würde nicht richtig funktionieren?

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Dieses Bild zeigt einen

N-Kanal-MOSFET, Verarmungstyp

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp

P-Kanal-MOSFET,

Verarmungstyp

P-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp

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Dieses Bild zeigt einen

P-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp

N-Kanal-MOSFET, Verarmungstyp

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp

P-Kanal-MOSFET,

Verarmungstyp

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