La barrera de potencial de la unión es tal que existe un campo eléctrico en la zona de carga espacial dirigido del lado n al lado p.

El potencial de contacto de la unión es debido a cargas fijas de la zona de carga espacial. Dichas cargas son las impurezas ionizadas de cada lado de la unión, de signo positivo en el lado p y de signo negativo en el lado n.

Si se cortocircuita externamente el borne de la zona n con el borne de la zona p, la carga de la zona de carga espacial desaparece, igual que ocurriría al cortocircuitar un condensador.

El potencial de contacto de la unión es cero si la unión no está polarizada, como corresponde a un dispositivo en circuito abierto.

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El potencial de contacto de la unión es lo equivalente a un generador de tensión, pero cuando lo conectamos a una resistencia la corriente que circula es muy pequeña salvo que dicha resistencia sea casi nula.

La concentración de electrones en la banda de conducción es igual a la concentración de huecos en la banda de valencia solo a temperatura ambiente.

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Todas las demás respuestas son falsas.

La conductividad eléctrica de un semiconductor intrínseco se comporta igual que la de un metal con la temperatura en un rango de temperaturas cercanas a la ambiente, por ejemplo entre 250 K y 350 K.

Cuando enfriamos el semiconductor a temperaturas cercanas al cero absoluto (0 K), su conductividad eléctrica es máxima, porque la movilidad de los portadores es mejor.

Su conductividad eléctrica no se ve alterada alterada con un cambio de la temperatura si nos encontramos a temperaturas cercanas a los 300 K.

esté fabricado de GaP (energía del gap de 2,26 eV) y polarizado en inversa.

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esté fabricado de Ge (energía del gap de 0,66 eV) y polarizado en directa.

esté fabricado de GaN (energía del gap=3,4 eV) y polarizado en inversa.

esté fabricado de GaP (energía del gap de 2,26 eV) y polarizado en directa.

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No depende de la movilidad de los portadores

Aumenta al disminuir la concentración de impurezas porque al haber menos los portadores se pueden mover mejor

Depende en igual medida de las concentraciones de electrones y huecos

Depende sobre todo de la concentración de electrones, ya que huecos hay pocos

Ninguna de las demás respuestas es correcta

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Cuando el diodo está en ON, por los 50 Ω circulan 7 mA

Cuando el diodo está en ON, la tensión de salida vale V_O =  V_i / 60

Todas las demás respuestas son falsas.

Cuando el diodo está en OFF, la tensión de salida vale V_O =  V_i / 10

La tensión de entrada mínima para que el diodo empiece a conducir es  V_i = 0,84 mV

Existe una corriente de difusión de electrones del lado p al lado n y otra de difusión de huecos del lado n al lado p

Existe una corriente de difusión de electrones del lado p al lado n y otra de difusión de huecos del lado n al lado p.

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La corriente de difusión es siempre mayor que la de arrastre.

Aunque hay flujo de carga, la densidad de corriente neta a través de la unión es nula porque el movimiento de electrones y huecos da lugar a corrientes de distinto signo y se compensan.

La corriente neta a través de la unión es nula y no hay flujo de carga.

Cuando el diodo se encuentra en estado ON, V_OUT = V_IN + 0,7 V

Cuando el diodo se encuentra en estado ON, V_OUT = V_IN − 0,7 V

Para cualquier valor de V_IN > 0, el diodo se encuentra en estado OFF y V_OUT = 5 V.

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Para cualquier valor de V_IN < 4 V, el diodo se encuentra en estado ON y entonces V_OUT = 4 (V) + V_IN.

Cuando el diodo se encuentra en estado OFF V_OUT = V_IN − 4 (V).

Si V_IN < −0,7 V el diodo opera en estado de corte (OFF) y entonces V_OUT = 0.

Todas las demás respuestas son falsas.

Si V_IN < 0,7 V el diodo opera en estado de corte (OFF) y entonces V_OUT = 0.

Si V_IN >−0,7 V el diodo opera en estado de corte (OFF) y entonces V_OUT = 0.

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Si V_IN < 0,7 V, el diodo opera en estado de conducción (ON) y entonces V_OUT = V_IN + 0,7 V.

Ninguna de las respuestas es correcta

Al disminuir la temperatura hasta 300 K, circulará más corriente por el Si intrínseco

Al aumentar la temperatura a 650 K, ambas resistencias presentarán valores de concentración de portadores diferentes

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Al disminuir la temperatura hasta 300 K, circulará más corriente por el Si dopado

Al disminuir la temperatura hasta 300 K circulará la misma cantidad de corriente por ambos trozos

La tensión de salida V_OUT puede ser negativa.

La tensión de salida V_OUT no puede ser inferior a 3,7 V.

Ninguna de las otras respuestas es correcta.

La tensión de salida V_OUT no puede superar los 3 V.

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La tensión de entrada V_IN debe ser superior a 3 V.